个人简介

尹志岗，男，博士，副研究员，硕士生导师。 1999年及2002年分别于东北大学和北京科技大学获得学士及硕士学位；2005年于中科院半导体所获得材料物理与化学专业博士学位；2005年至今在中科院半导体所材料重点实验室工作。长期致力于氧化物半导体及铁性材料的外延制备、物性表征和应用研究，先后主持和参加科技部863、国家自然科学基金等多项课题的研究工作。迄今在Appl.Phys.Lett.等杂志发表论文70余篇，申请国家发明专利20余项。 在研/完成项目： 1.国家自然科学基金：表面等离激元增强应变BiFeO3外延薄膜异常光伏效应研究，2013-2016，负责人 2.实践十号熔体材料空间生长项目子课题：磁性半导体材料GaMnSb的空间生长，2012-1016，负责人 3.天宫二综合材料实验项目子课题：磁性半导体材料InMnSb的空间生长，2012-1016，负责人 4.国家自然科学基金：InSb-Au复合结构磁场传感器的偏置磁场调控特性，2009-2011，负责人 5.863计划项目：表面等离激元增强ZnO基LED的紫外电致发光研究，2009-2011，负责人