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400-607-9388
相变存储器神经形态关键技术研究
项目批准号:91964204
省份:上海市
负责人:宋志棠
资助金额:293万元
批准年份:2019年
学科分类:半导体科学与信息器件
关键词:相变存储器;多值;突触;神经形态;存储阵列
二维层状材料及其异质器件集成
项目批准号:91964203
省份:湖北省
负责人:何军
资助金额:300万元
批准年份:2019年
学科分类:新型信息器件
关键词:二维材料;范德华外延;异质结构;新原理器件;异质集成
超薄ZrO2栅介质NC-FinFET及其可靠性研究
项目批准号:91964202
省份:陕西省
负责人:刘艳
资助金额:300万元
批准年份:2019年
学科分类:集成电路器件、制造与封装
关键词:FinFET;负电容
低能耗拓扑场效应晶体管新型器件研究
项目批准号:91964201
省份:北京市
负责人:廖志敏
资助金额:307万元
批准年份:2019年
学科分类:半导体器件物理
关键词:拓扑保护;拓扑相变;自旋-动量锁定;拓扑半金属;拓扑表面态
铁电晶体管存算可调机制和工艺研究
项目批准号:91964110
省份:上海市
负责人:李秀妍
资助金额:80万元
批准年份:2019年
学科分类:半导体器件物理
关键词:负电容效应;铁电晶体管;存算可调机制;存算一体器件;铁电极化反转动力学
多物理场对电子自旋的调控机理及其存储器研究
项目批准号:91964109
省份:陕西省
负责人:刘明
资助金额:80万元
批准年份:2019年
学科分类:半导体电子器件与集成
关键词:磁存储器;磁电耦合;多物理场调控;自旋调控
非易失性CMOS忆阻器及其构成的计算存储融合可重构交叉阵列架构
项目批准号:91964108
省份:湖南省
负责人:王春华
资助金额:80万元
批准年份:2019年
学科分类:集成电路设计
关键词:放大器;忆阻器;交叉杆阵列;可重构;神经网络
基于超薄硅的场效应晶体管型光电神经突触器件研究
项目批准号:91964107
省份:浙江省
负责人:皮孝东
资助金额:80万元
批准年份:2019年
学科分类:新型信息器件
关键词:认知存储器件;神经突触器件
亚50纳米沟长的准弹道输运黑磷晶体管
项目批准号:91964106
省份:湖北省
负责人:李学飞
资助金额:80万元
批准年份:2019年
学科分类:新型信息器件
关键词:二维原子晶体;短沟道;弹道输运;载流子速度;低频噪声
材料缺陷调控铁电器件性能的基础研究
项目批准号:91964105
省份:山东省
负责人:陈杰智
资助金额:80万元
批准年份:2019年
学科分类:半导体电子器件与集成
关键词:铁电器件;铁电材料;缺陷调控