个人简介

王书昶，工学博士。2015年8月毕业于东南大学电子科学与工程学院，获工学博士学位。2014年1-5月，受邀到国立台湾大学光电工程学研究所进行短期学术访问。2015年9月进入常熟理工学院物理与电子工程学院工作。 目前正在开展以氮化镓（GaN）为基础的宽禁带半导体材料和器件的研发工作。近年来在Optics Express, Electronic Materials Letters，Journal of Materials Science Materials in Electronics等国际杂志上发表SCI收录学术论文20余篇，其中第一作者6篇。发表国际会议论文6篇，授权发明专利2项，实用新型专利2项。目前主持苏州市2016年度产业前瞻性应用研究（工业）指导性项目1项。 主要承担的教学课程 光电传感器技术、光电子材料与器件、光电专业英语等课程 主要科研项目 1. 2016.7-至今，苏州市科技计划项目“非极性ALGaN薄膜材料制备及在紫外LED中的应用研究”，在研，主持 2. 2014.5-2015.5江苏省2014年度普通高校研究生科研创新计划项目，基于A1GaN材料的紫外LED关键技术研发，项目编号：KYLX_0127，已结题，主持 3. 2017/01-至今，国家自然科学基金应急管理项目，61640407，AlGaN日盲雪崩光电探测器的极化与离化工程协同调控研究，在研，参与 4. 2015.08-至今，江苏省科技厅重点研发计划，具有纳米周期结构的AlGaN基非极性紫外LED的研发，在研，参与 5. 2010.12-2011.12江苏省科技支撑计划（工业）项目，太阳能电池中高性能透明导电氧化物薄膜的研究开发，BE2009106，已结题，参与 6. 2009.05-2010.01江苏省科技厅重大项目，高效率GaN芯片电致发光的关键技术研究与产业化，已结题，参与 授权发明专利 1. 张雄，王书昶，崔一平，一种铝镓氮基日盲紫外探测器及其制备方法，2016.06.15，中国，CN201410462571.7 2. 张雄，王春霞，王书昶，崔一平，一种氮化镓基发光二极管及其外延生长方法，2016.04.13，中国，CN201310232613.3 授权实用新型专利 1.王书昶，郭文华，况亚伟，李中国，张惠国，邢进华，一种PIN结构紫外光电探测器, 2016-04-21, 中国，CN201620338354.1