个人简介

张昆 博士后 性别：男 出生年月：1989-12-20 毕业院校：山东大学 学位：博士学位 所在单位：微电子学院 学科：电子科学与技术 办公地点：新主楼F1009 个人简历： 北京航空航天大学微电子学院教师。2012年获得山东大学物理学院博士学位。随着半导体工艺尺寸的减小，计算机性能按照摩尔定律的预言不断提高，然而CMOS管的本征漏电流问题使得摩尔定律的发展前景蒙上阴影。作为极具潜力的解决方案，自旋电子学器件应运而生。围绕新型自旋电子学器件的性能优化，我们做了很多有益的尝试。例如，为了解决自旋电子器件的磁电阻比值较低，应用过程中容易导致信息读取错误的问题，我们提出整流磁电阻效应，实现高磁电阻比值；将电致阻变和隧穿磁电阻效应结合在复合势垒的磁隧道结中，实现了四态的高密度存储；构建了二极管辅助的ZnCoO器件，实现了可重构的逻辑运算，有望解决目前冯诺伊曼架构的瓶颈。目前已经以第一作者身份发表SCI论文4篇，累计合作发表SCI论文20余篇，申请国家发明专利5项。 教育经历： [1] 2017年9月至今，北京航空航天大学，微电子学院，博士后； [2] 2012年9月-2017年6月，山东大学，物理学院，博士； [3] 2008年9月-2012年6月，山东大学，物理学院基地班，学士。 工作经历： 2017年9月至今，北京航空航天大学博士后