个人简介

个人简介 副教授，硕士生导师，2004年毕业于西安电子科技大学电子科学与技术专业，2009年3月获得西安电子科技大学微电子学与固体电子学专业博士学位，2009年4月留教于西安电子科技大学机电工程学院，2011年晋升副教授，同年遴选为硕士生导师。 主要进行VLSI器件新材料器件及其可靠性研究与电子封装及其可靠性研究。 在国内外知名期刊上发表论文四十余篇，均被SCI、EI检索；申请及获批发明专利多项；获陕西省科学技术奖一等奖一项。 主持并参与了多项课题研究，包括国家973计划、国家自然科学基金、航天合作等项目。 科学研究 承担的科研项目： 国家自然科学基金基金项目，国家973项目，航天合作课题，中央高校基本业务费项目； 发表的论文： 截止2015年12月，共计发表论文45篇，均被SCI、EI检索； 申请的专利： 截止2015年12月，共计申请专利11项，其中获批6项； 荣誉获奖： 2011年获陕西省科学技术奖一等奖一项。 申请专利： [1]毛维；郝跃；杨翠；李洋洋；王冲；郑雪峰；杜鸣；刘红侠；曹艳荣绝缘栅型直角源场板高电子迁移率器件及其制作方法2015/3/11,陕西,CN201410658088.6. [2]毛维；葛安奎；郝跃；边照科；石朋毫；张进成；马晓华；张金风；杨林安；曹艳荣介质调制复合交叠栅功率器件 2015/3/4,陕西,CN201410658234.5. [3]郑雪峰；范爽；孙伟伟；张建坤；康迪；王冲；杜鸣；曹艳荣；马晓华；郝跃HEMT器件栅泄漏电流中台面泄漏电流的测试方法2014/9/24,陕西,CN201410319025.8. [4]郑雪峰；范爽；康迪；王冲；张建坤；杜鸣；毛维；曹艳荣；马晓华；郝跃测试HEMT器件体泄漏电流和表面泄漏电流的方法2014/9/24,陕西,CN201410317290.2. [5]曹艳荣；杨毅；郝跃；马晓华；田文超；许晟瑞；郑雪峰一种测试MOS器件沟道不均匀损伤的方法2014/8/13,陕西,CN201410228195.5. [6]田文超；阮红芳；杨银堂；曹艳荣折梁屈曲射频微开关2011/11/16,陕西,中华人民共和国国家知识产权局,CN201110075734.2. [7]郝跃；许晟瑞；薛军帅；周小伟；张进成；曹艳荣；蔡冒世；王昊基于γ面LiAlO2衬底上非极性m面GaN的MOCVD生长方法2010/12/1,陕西,中华人民共和国国家知识产权局,CN201010209568.6. [8]郝跃；许晟瑞；张进成；杨林安；王昊；陈珂；曹艳荣；杨传凯基于c面SiC衬底上极性c面GaN的MOCVD生长方法 2010/12/1,陕西,中华人民共和国国家知识产权局,CN201010209567.1. [9]马晓华；曹艳荣；郝跃；高海霞；王冲；杨凌AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管及其制作方法2010/10/6,陕西,中华人民共和国国家知识产权局,CN201010120734.5. [10]王冲；郝跃；马晓华；张进城；曹艳荣；杨凌全透明AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管及其制作方法2010/7/7,陕西,中华人民共和国国家知识产权局,CN201010013536.9. [11]马晓华；郝跃；曹艳荣；王冲；高海霞；杨凌AlGaN/GaN绝缘栅高电子迁移率晶体管及其制作方法2010/5/19,陕西,中华人民共和国国家知识产权局,CN200910218717.2. 荣誉获奖 2011年获陕西省科学技术奖一等奖 科研团队 教师： 曹艳荣 硕士研究生8人。 课程教学 承担的教学任务： 微电子技术概论，本科专业课； 电子设备可靠性工程，本科专业课；