个人简介

學歷 •美國德州大學(奧斯汀)物理博士 (1987/09-1993/12) •國立交通大學電子工程系學士 (1981/09-1985/06) 現職與經歷 現職： •國立清華大學物理系教授 (2002/02- ) 經歷： •國立清華大學物理學系副教授 (1997/02-2002/02) •通產省產業技術融合領域研究所 Atom Technology Group 研究員 (1996/06-1997/02) •Joint Research Center for Atom Technology Tokumoto Group 博士後研究員 (1994/02-1996/06) 榮譽與獎項 •89學年度國科會傑出研究獎 •93學年度國科會傑出研究獎 •十大傑出青年(2001年) 研究興趣與成果 Updated on September 3, 2006 本實驗室之研究課題著重於低維次(Low-Dimensional)、原子級(Atomic-Scale)至奈米級(Nanometer-Scale)的凝態材料系統與半導體磊晶薄膜，研究內容包括氮化銦(InN)、氮化鎵(GaN)、氮化鋁(AlN)等III族氮化物半導體薄膜及奈米材料的電漿輔助式分子束磊晶成長(Plasma-Assisted Molecular-Beam Epitaxy)及奈米發光材料的前瞻性光譜(Optical Spectroscopy)研究、超高真空掃描探針顯微術(Ultra-High-Vacuum Scanning Probe Microscopy)、原子力顯微術(Atomic Force Microscopy)、靜電力顯微術(Electrostatic Force Microscopy)、奈米微影術(Nanolithography)、低維次奈米材料的操控及自組裝技術(Nanomanipulation and Controlled Self-Assembly)、掃描穿隧能譜(Scanning Tunneling Spectroscopy)及光電材料的同步輻射光電子能譜(Synchrotron-Radiation Photoelectron Spectroscopy)研究等。 目前正在進行的研究課題如下： (1) 氮化銦、氮化鎵、氮化鋁半導體薄膜及奈米材料之磊晶研究﹕ 利用本實驗室的電漿輔助式分子束磊晶系統成長Ⅲ族氮化物半導體磊晶薄膜及其奈米結構(Quantum Wells, Quantum Dots, Nanorods, Quantum Disks in Nanorods)，並研究其光電物理特性並發展相關之元件應用(LEDs、LDs、Solar Cells、Transistors等)。 (2) 前瞻性光譜研究： 利用空間及時間解析式低溫螢光光譜技術研究奈米發光材料在微光腔(Optical Microcavities)內與光量子場之弱耦合作用及強耦合作用。 (3) 表面/界面電子結構之研究： 利用超高真空掃描穿隧顯微術及同步輻射光電子能譜研究Ⅲ族氮化物半導體之表面結構及電子特性。 (4) 奈米加工及奈米材料的操控﹕ 利用掃描探針微影法(Scanning Probe Lithography)及配合適當的圖形轉移技術(Pattern Transfer)製作奈米結構，可利用此技術製作人造光子/電漿子晶體結構(Photonic/Plasmonic Bandgap Structures)、微光學(Micro Optics)及光電元件(Optoelectronic Devices)；利用電子顯微鏡(Scanning Electron Microscope)內建之四探針奈米操控器(4-Probe Nanomanipulator)進行半導體低維次奈米材料的操控/組裝(nm-Scale to mm-Scale)及對其電性及光性之分析和應用(Nanosensing及Nanophotonics)。 (5) 軟凝態材料方面： 自組裝分子膜(Self-Assembled Monolayers)及膠體奈米粒子(Colloidal Nanoparticles)之製作、分析、操控、組裝(nm-Scale to mm-Scale)及應用(Nanosensing及Nanophotonics)。 C. Patents: 1."Method of oxidizing a nitride film on a conductive substrate," S. Gwo et al., US patent no.: 6,274,513 2."Method for manufacturing organic monomolecular film," H. Ohno et al., US patent no.: 5,942,286 3.3 Japan patents (Japanese patent nos.: 9-108565, 9-237926, 9-192540), 1 Japan patent pending 4.1 Taiwan patent (Taiwan patent no. 134,974), 2 Taiwan patents pending