顾溢_中国科学院上海技术物理研究所研究员

您当前浏览器版本过低，为了不影响您的使用，建议您使用最新的谷歌浏览器、火狐浏览器、 360浏览器，更换浏览器后使用更流畅！（注意！双核浏览器请切换为极速模式）

400-607-9388

顾溢
所属院校: 中国科学院上海技术物理研究所
所属院系:
职称: 研究员
导师类型:
招生专业:
研究领域: 为III-V族半导体光电材料与器件，包括半导体材料分子束外延、失配材料生长与应变控制、短波红外半导体探测材料及其光电特性等专利成果（1）用于雪崩光电二极管的能带递变倍增区结构,发明,2013,第1作者,专利号:ZL201010290302.9 （2）InP基截止波长大范围可调的晶格匹配InGaAsBi探测器结构及其制备,发明,2013,第1作者,专利号:2013102644206 （3）基于免等离子工艺降低暗电流的光电探测器芯片制作方法,发明,2013,第2作者,专利号:2...

个人简介

2004年于南京大学理科强化部获学士学位，2009年毕业于中科院上海微系统所获博士学位。2009-2018年在中科院上海微系统所从事化合物半导体光电材料与器件研究，其中2012年和2015年分别赴瑞典查尔姆斯理工大学和英国谢菲尔德大学任短期访问学者。2018年9月加入中科院上海技物所

以上内容源自网络公开信息，仅作学术交流之目的，非为商业用途。
如若涉及侵权事宜，请及时与我们联络，我们将即刻修正或删除相关内容。
联系方式：+86 191 9534 4490。