个人简介

张艳华，男，博士，副研究员，硕士生导师。 2005年-2007年从北京理工大学获得硕士学位，硕士期间主要从事分子束外延（MBE）低维材料生长工作。2007年-2019年在中国科学院半导体研究所工作，主要从事量子点、量子阱红外探测器方面的研究。2009年-2012年在中国科学院半导体研究所获得博士学位，主要从事InAs/GaSbII类超晶格红外探测器的研究。并留所工作，目前，主要从事锑化物红外探测器和太赫兹探测器的研究。在国内外各种期刊上发表论文30余篇,申请专利6项，授权2项。 取得的重要科研成果： 成功研制出具有极高晶体质量的InSb和混合型两种界面类型的长波InAs/GaSb二类超晶格红外探测器，证实InSb界面优于混合界面，并首次进行了物理解释。在国际上首次报道了两端电压调制窄带长波/甚长波双色InAs/GaSbII类超晶格红外探测器。国际上首次报道了最短波长为1微米的InAs/GaSbII类超晶格红外探测器。与兄弟单位合作研制成功二类超晶格中波、长波及中/长波双色红外焦平面阵列器件。 在研/完成项目： 1.国家自然科学基金青年项目,“甚长波InAs/GaSbⅡ类超晶格探测器材料及其新型界面研究”，2014/01-2016/12。项目负责人 2.国家自然科学基金面上项目,“反转型InAs/GaSbⅡ类超晶格太赫兹探测材料及其器件研究”,2018/1-2021/12。项目负责人 3.北京市自然科学基金面上项目,“反转型InAs/GaSbⅡ类超晶格太赫兹探测器材料生长研究”，2018/1-2019/12。项目负责人 4.国家973项目,“半导体异质兼容集成中的新型材料系探索与特殊超晶格结构”，2010.1-2014.12，469万，参加。 5.其他项目，850万，2016.01-2018.12，参加。