个人简介

汪连山，男，博士，研究员，博士生导师。 1999年2月毕业于中国科学院半导体研究所，获半导体材料工学博士学位。1998年8月至1999年8月在香港理工大学电子信息工程系做访问学者，主要研究AlGaN/GaN紫外探测器。1999年10月至2006年10月在新加坡材料研究与工程研究院（IMRE）工作，任职ResearchScientist,主要研究宽带隙氮化物半导体材料与器件,先后实现了GaN基蓝光、绿光及紫外光发光二极管,并与日本富士通量子器件(FujistuQuantumDevice)公司合作率先研制成功InGaN蓝光激光器。2006年10月至2011年8月为华中科技大学武汉光电国家实验室（筹）教授,主要从事半极性面氮化镓材料、图形衬底制备技术、ZnO纳米结构制备技术等研究工作，其中，2009年2月至7月在英国巴斯大学电子电机工程系做访问教授，主要研究GaN体衬底HVPE制备和自分离技术。2011年9月至2013年4月为中国科学院半导体研究所半导体照明中心研究员，主要从事基于金属基板和表面光子晶体的高效大功率LED芯片研发及产业化。2013年5月内调至半导体材料科学重点实验室，主要从事半极性、非极性氮化物半导体材料与器件、纳米材料与器件以及和新型太阳能电池制备技术研究。迄今发表学术论文120多篇，累计引用750余次，取得发明专利15项，并受邀为AppliedPhysicsLetters、IEEEPhotonicsTechnologyLetters、ElectrochemicalSociety(ECS)JournalofSolid-StateScienceandTechnology、ElectrochemicalandSolidStateLetters、MaterialsScienceandEngineeringB、AppliedSurfaceScience、CrystalResearch&Technology、PhysicaStatusSolidi(a)、ScienceChina、《光学学报》、《中国科学》、《发光学报》等期刊论文评审人和广东省科技咨询及产学研项目评审专家。 在研/已完成项科研目： 1. 国家自然科学基金面上项目“半极性GaN基黄橙光材料研究”(2018.01-2021.12,直接经费63万元) 2. 国家重大科研仪器研制项目“薄膜生长缺陷跨时空尺度原位/实时监测与调控实验装置”(2018.01-2022.12,经费634.55万元) 3. 科技部重大科技专项项目“第三代半导体核心关键设备－第三课题“面向大尺寸AlN单晶的PVT和高温HVPE设备研制”(2017.07-2020.12,经费82.8万元) 4. 南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心开放课题“硅衬底非/半极性GaN材料研究”(2017.09-2019.08,经费100万元) 5. 广东省重大科技专项“面向可见光通信的宽带高效LED器件核心技术研究”(2015.01-2017.12,经费100万元) 6. 国家高新技术研究发展计划(863计划)“新一代移动通信基站氮化镓射频功率放大器”(2015.01-2017.12,经费95万元) 7. 国家高新技术研究发展计划项目(863计划)“面向新型绿光器件的高In组分氮化物材料的生长技术研究”(2014.01-2016.12,经费139.5万元) 8. 广东省中国科学院全面战略合作(省院产学研)项目“大尺寸图形衬底制备技术与工艺验证”(2014.10-2016.12,经费25万元) 9. 国家自然科学基金面上项目“半极性面偏振光LED外延技术及性能研究”(2013.01-2016.12，经费80万元) 10. 广东省战略新兴产业LED项目“基于电镀镍金属基板和表面光子晶体结构的高效大功率LED芯片研发及产业化”(2013.01-2015-06,经费240万元) 11. 973项目“MOCVD新型反应腔设计、LED缺陷抑制和量子效率调控”(2014.01-2018.08,经费520万元) 12. 863项目“基于图形衬底的高效白光LED外延芯片产业化制备技术研究”(2011.01-2013.12,经费91.7万元) 13. 国家科学基金面上项目“半极性小面InGaN量子阱结构生长与多色光合成研究”(2008.1-2010.12,经费30万元) 14. 湖北省科技专项项目“GaN基LED外延片的生长技术及其大功率芯片的研究及产业化(2008.1-2010.12,经费500万元)