个人简介

成步文，男，博士，研究员，博士生导师。 1989年在北京师范大学物理系获学士学位，1992年在北京师范大学低能核物理研究所获硕士学位，2006年在中国科学院半导体研究所获博士学位。1992年入中国科学院半导体研究所工作。他现任集成光电子学国家重点实验室学术委员会副主任，中国光学工程学会微纳光电子集成技术专家委员会副主任。他20多年来一直致力于硅基光电子材料和器件的研究，在SiGe、Ge、GeSn、GePb等Ⅳ族材料外延生长、特性研究、器件研制等方面做出了系统性研究成果。发表学术论文240余篇，获得国家发明专利20项。 近年完成/在研的主要项目： 1. 锗锡合金中锡的迁移动力学研究，面上基金，（2018.1-2021.12，主持） 2. 16通道100Gbps高响应低暗电流硅基微纳锗硅探测器阵列研究，重点研发计划课题，（2017.7-2022.6，主持） 3. 高性能Ge-Si单光子雪崩倍增探测器基础研究，重点基金，（2016.1-2020.12，骨干） 4. 300nm－1400nm宽光谱成像技术研究（基于多层纳米半导体材料），北京市科委，（2015.7-2018.6，主持） 5. 硅基高速光接收机集成芯片基础研究，重点基金，（2015.1-2019.12，主持） 6. 硅基锗锡合金材料外延生长机理研究，面上基金，(2012.1-2015.12，主持) 7. 硅基锗材料外延及其相关器件基础研究，重点基金，(2011-2014,主持) 8. 硅基集成100Gb/s相干接收和传输芯片技术，863课题，(2011-2013,负责子课题) 9. 基于能带工程的硅基发光材料及光电子原型器件，973课题,(2007.7-2011.8，骨干) 10. Si衬底上的高速Ge光电探测器集成技术，863课题，(2006.12-2008.12，主持) 11. 绝缘层上SiGe材料的制备及弛豫机理研究，面上基金，(2007.1-2009.12，主持) 12. Si基光电子学关键器件基础研究，重点基金，(2004.1-2007.12，骨干) 13. SiGe/Si单片集成高速OEIC光接收芯片的研究，863课题，(2002.7-2005.10，主持) 14. GeSi/SiMQW波长可调光电探测器，863课题，(1998.10-2000.10，主持)