个人简介

陆旭兵，博士，广东省珠江学者特聘教授，博士/硕士导师 目前研究主要领域为电子薄膜材料(主要为高介电薄膜和铁电薄膜)及其器件集成与应用。在传统Si基和有机半导体场效应晶体管制备和表征、高介电材料/铁电薄膜材料制备及器件表征、微弱信号测试、CMOS集成电路工艺等方面积累了较为丰富的经验。与国际知名半导体公司有着较长时间的合作研究经历。如2000年－2004年间与Motorola半导体产品部数字基因实验室合作开展应用于下一代MOSFET的LaAlO3高介电常数材料工作；2006年－2008年在东京工业大学与日本富士通公司合作研究高可靠非易失性铁电场效应晶体管存储器件。在Adv.Mater,Adv.Electron.Mater,Appl.Phys.Lett等本领域的知名专业国际期刊上发表SCI文章100余篇，获得授权美国专利一项，欧洲Wiley–VCH出版社关于高介电材料的英文著作一章。 教育经历： 1999年-2002年 南京大学，博士 1996年-1999年 中南大学，硕士 1992年-1996年 中南大学，学士 Education: 1999-2002 NanjingUniversity,Ph.D 1996-1999 CentralSouthUniversity,Master 1992-1996 CentralSouthUniversity,Bachelor 工作经历： 2010.09-至今 华南师范大学教授 2012.02-2013.01 德国马普微结构物理所，洪堡研究员 2010.04-2010.11 德国马普微结构物理所，洪堡研究员 2009年-2010年 日本国立材料研究所(NIMS)，博士后 2008年-2009年 日本产业技术综合研究所(AIST)，纳电子器件部，博士后 2006年-2008年 日本东京工业大学，电子及应用物理系，JSPS研究员 2004年-2005年 香港理工大学，应用物理系，ResearchAssociate 2002年-2004年 北京大学，信息科学技术学院微电子研究院，博士后 WorkExperience: 2010.09-now Professor SouthChinaNormalUniversity,Guangzhou,China 2012.02-2013.01 Humboldtexperiencedresearcher MaxPlanckInstituteofMicrostructurePhysics,Germany 2010.04-2010.11 Humboldtexperiencedresearcher MaxPlanckInstituteofMicrostructurePhysics,Germany 2009-2010 Post-doctoralResearcher NationalInstituteforMaterialsScience(NIMS),Japan 2008-2009 Post-doctoralResearcher NationalInstituteofAdvancedIndustrialScienceandTechnology,Japan 2006-2008 JapanSocietyforthePromotionofScience(JSPS)researchfellow TokyoInstituteofTechnology,Japan 2004-2005 ResearchAssociate TheHongKongPolytechUniversity,HongKong,China 2002-2004 Post-doctoralResearcher PekingUniversity,Beijing,China