个人简介

理查德·内策尔（RichardNoetzel）教授，男，德国人。1989年，获得德国慕尼黑工业大学物理学士学位；1990年，在位于斯图加特的马克思普兰克凝聚态物理研究所进修，并在1992年获得斯图加特大学半导体物理博士学位；1993年加入位于日本厚木的NNT公司；1995年，成为日本北海道大学的客座教授；1995年，在德国柏林的保罗·德鲁德固态电子研究所工作；2000年，成为荷兰埃因霍温理工大学副教授；2011年，加入西班牙马德里技术大学，担任纳米技术研究组主席；2014年，受邀前往意大利米兰可比卡大学担任教授。 理查德·内策尔教授在半导体纳米结构外延生长及其光电和电子器件方面拥有超过25年的研究经验。主要研究工作包括半导体和金属纳米结构的直接外延生长和电学性质及其在新型功能器件中的应用。其学术成果包括：超过500篇的学术论文，其中4篇发表于Nature，以及获得8项国际专利授权。曾申获并主持20多个欧洲与国际科学研究项目，科研经费超过300万欧元。 代表专利 [1]HalbleiterstrukturundHerstellungsverfahre/半导体结构及制造方法/DE69429906T2/DE1994629906T N?tzelRichard,TemmyoJiro,TamamuraToshiaki,SugoMitsuru,KuramochiEiichi,NishiyaTeruhiko/发明专利/2002.08.01/德国 [2]Amethodoffabricatingacompositionalsemiconductordevice/制造半导体器件的方法/EP0535293A1/EP19920100943 N?tzelRichard,LedentsovN.Nikolai,DaeweritzLutz,PloogKlaus/发明专利/1993.04.07/欧洲专利局 [3]Methodoffabricatingaquantumdotstructureona(n11)substrate在（N11）基板上制造量子点结构的方法/US5543354A/US19940347778 RichardN?tzel,N.JiroTemmyo,ToshiakiTamamura,MitsuruSugo,EiichiKuramochi,TeruhikoNishiya/1996.08.06/美国 [4]Methodoffabricatingacompositionalsemiconductordevice/制造半导体器件的方法/US5714765/US19940329802 N?tzelRichard,LedentsovN.Nikolai,DaeweritzLutz,PloogKlaus/1998.02.03/美国 代表奖项： 马克思普朗克协会的OttoHahn奖章。 日本电话电报公司NTT光电子实验室奖章。 柏林-勃兰登堡科学院的学术奖章。