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400-607-9388
  • 许高斌
  • 所属院校: 合肥工业大学
  • 所属院系: 电子科学与应用物理学院
  • 职称: 教授
  • 导师类型: 博导
  • 招生专业:
  • 研究领域: 主要研究领域: CMOSMEMS、MEMS传感器与系统的设计、制造与封装 RFMEMS器件及其RF集成电路/RFIC NEMS器件与传感器 微结构设计与制造 MEMS多参数在线监测
个人简介

个人简介

1993年、2001年毕业于合肥工业大学应用物理系,分别获学士和硕士学位,2004年毕业于东南大学电子工程系MEMS教育部重点实验室,获工学博士学位,2010年在中科院半导体研究所从事高级访问研究。现任合肥工业大学电子科学与应用物理学院/微电子学院教授,博士生导师,安徽省微电子机械系统(MEMS)工程技术研究中心主任。 近年来在IEEEElectronDeviceLetters、AppliedPhysicsA、IEEESensorsJournal、SensorsandActuators、JournalofMicromechanicsandMicroengineering、JournalofSemiconductors、仪器仪表学报、半导体学报、真空与科学技术学报和中国机械工程等国内外核心期刊上发表学术论文60余篇,其中SCI/EI收录20余篇。相关研究成果应用于MEMS专业设计软件IntenlliSence软件中,取得良好的经济效益和社会效益;其相关研究成果被编著于微米纳米系列丛书《微米纳米器件测试技术》和国际著名出版机构Springer出版的《MicroElectroMechanicalSystems》中。应邀为APCOT’2008(海峡两岸微米纳米技术研讨会,2008,台湾成功大学)分会主席(SessionChairofBioMicro-NanoTechnology)、中国微米纳米技术学会第十一届学术年会(2009,哈尔滨)分会主席和第十二届全国敏感元件与传感器学术会议程序委员会委员(2012,江苏.昆山)等。是中国微米纳米技术学会高级会员,IEEESensorsJournal、振动与冲击等学术期刊审稿人。曾入选江苏常州龙城英才计划(重点)和徐州“高层次创新创业人才引进资助计划”等创新创业人才计划。是国家重点研发计划、国家自然科学基金、安徽省科技专项和安徽省高新技术企业认定等评审专家。目前在研的主要科研项目: 装备预研教育部联合基金项目:复杂环境高性能高精度谐振式压力传感器研究 安徽省重点研发计划项目:工业装备振动监控MEMS加速度传感器研发 装备预先研究重点项目:****设备可靠性研究 已完成的主要科研项目: 国家863计划项目:无线、无源、多参数微纳传感器与系统。 国家自然科学基金重大研究计划项目(纳米制造的基础研究):基于改性TiO2纳米管阵列的传感器件的构造研究 安徽省科技攻关计划项目:SOI基高性能MEMS传感关键技术研究。 安徽省自然科学基金:柔性衬底单壁碳纳米管阵列NEMS器件及其在纳米集成电路中的应用研究。 安徽省高校省级自然科学研究重点项目:基于MEMS技术CMOS兼容静电型微继电器研究。 中央高校基础业务费重大预研专项:车载MEMS传感器关键技术。 合肥市重点科技项目计划:便携式微生物总数快速监测仪。 中国兵器工业第二一四研究所军工预研基金项目:硅基MEMS加速度传感器。 微电子机械系统(MEMS)教育部重点实验室开放课题:薄膜热学性能在线测试结构研究。 863计划项目:MEMS加工与封装建模、模拟与IP库。 863计划项目:环境气象检测微系统开发。 总装备部“十•五”预研计划:用于工艺监控的MEMS测试结构及方法。 科技获奖: 2006年度高等学校科学技术奖(自然科学一等奖),项目名称:多晶硅电热微执行器模型、制备与表征,个人证件编号:2006-***。 2009年度江苏省科技进步奖(二等奖),项目名称:微机电系统模型、模拟及应用。个人证书编号:2009-*-*-**-**。 部分授权专利: 发明专利:导体薄膜热导率测试装置,专利号:ZL03113386.X 发明专利:数字电容式液位测量传感器,专利号:ZL200910145055.0 发明专利:双栅沟道导电类型可调单壁碳纳米管场效应晶体管及制备工艺,专利号:ZL201110197345.7 发明专利:不等高梳齿电容式三轴加速度传感器及其制作方法,专利号:ZL201110190985.5 发明专利:一种单片集成CMOSMEMS多层金属三轴电容式加速度传感器及其制备方法,专利号:201210404112.4 发明专利:用于电化学制备多孔硅的双槽装置及制备多孔硅的方法,专利号:ZL201510099634.1 发明专利:一种单片集成多孔硅的相对湿度传感器及其制备方法,专利号:ZL201410335291.X 发明专利:一种三轴电容式MEMS加速度传感器及制备方法,专利号:ZL201510099630.3

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