个人简述:

韩根全   博士、“百人计划”研究员、博士生导师。2003 年于清华大学获得学士学位，2008 年于中国科学院半导体研究所获得博士学位，同年加入新加坡国立大学 Silicon Nano Device Laboratory (SNDL) 实验室。2013年入选重庆大学“百人计划”研究员。在新加坡国立大学 SDNL 工作期间，主要从事高迁移率材料金属氧化物场效应晶体管（MOSFET）和陡峭亚阈值摆幅隧穿场效应晶体管（TFET）研究。领导了 SDNL 与中科院半导体研究所 GeSn 材料电子器件合作研发项目，并负责了新加坡与MIT关于低能电子系统（Low Energy Electronics Systems, LEES）合作项目中 InGaAs RF HEMT 与 Si CMOS 集成部分。在 GeSn，InGaAs MOSFET 以及 TFET 方面作出了突破性的贡献。在国际上首次制备成功了 GeSn 材料的 p 沟道和 n 沟道 MOSFETs，实现了 GeSn TFET 器件， 实现了高迁移率 CMOS （GeSn pMOSFET ＋ InGaAs nMOSFET）的构架，发现 GeSn(111) 晶面具有更高的空穴迁移率。另外，在 Si 基 TFET 器件方面也做了大量的工作，制备了不同结构的 Si TFET 器件。

科研工作:

作为第一作者和通讯作者发表文章40多篇，其中在IEEE 顶级会议International Electron Devices Meeting (IEDM) 和 Symposium on VLSI Technology (VLSI) 上发表文章 5 篇，在 Applied Physics Letters，IEEE Electron Device Letters，IEEE Transactions on Electron Devices 等 SCI 杂志发表文章15篇，其它会议文章 21 篇。目前为Applied Physics Letters，IEEE Electron Device Letters，IEEE Transactions on Electron Devices，Japanese Journal of Applied Physics 等杂志审稿人。