个人简介

教育经历 2015年7月获得清华大学微电子学与固体电子学博士学位； 2010年7月本科毕业于吉林大学电子科学与技术专业; 工作经历 2019年1月~ 至今 华东师范大学 副教授; 2016年4月~2018年12月 华东师范大学 讲师; 开授课程 本科生： 《半导体器件原理及仿真设计》 《集成电路工艺原理》 研究生： 《现代半导体器件物理》 科研项目 1. 国家自然科学基金青年基金(61704056)：具备波动性表征的10nm及以下FinFET精准射频模型研究，2018/01~2020/12，主持 2. 上海市科委杨帆计划项目(17YF1404700)：基于三维全波电磁场分析的FinFET微波小信号模型及波动性研究，2017/05~ 2020/05; 主持 3. 国家科技重大专项 (2016ZX02301003): 22nm FD-SOI MOSFET栅围寄生效应及建模, 项目参与人 瞄准我国集成电路发展的战略需求，近年来一直专注于深纳米工艺VLSI核心器件及模型的研究，与上海集成电路研发中心、华力微电子、华为海思等保持着长期密切的合作。聚焦于后摩尔时代3-5nm技术节点VISL核心器件，深入开展GAA- FET、NCFET、CFET以及RFET机理、模型及工艺涨落特性研究。以第一作者/通讯作者在IEEE Transactions on Electron Devices、IEEE Transactions on Microwave theory and Techniques、IEEE Transactions on Device and Materials Reliability、IEEE Access等期刊上发表SCI论文47篇。 代表性专利： 1.孙亚宾, 李小进, 石艳玲等；一种改善 SOI 工艺中混合结构边缘凸起的方法，20180724，申请号: 201810818673.6 2.孙亚宾, 李小进, 石艳玲等；一种非对称型结构的可重构场效应晶体管，20180724，申请号: 201810818638.4 3.孙亚宾, 李小进, 石艳玲等；一种非对称型的可重构场效应晶体管(RFET)， 20190425，申请号：201910337000.3 4.孙亚宾, 李小进, 石艳玲等；一种具有双层侧墙结构的纳米片环栅场效应晶体管，20190605，申请号：201910486506.0 5.孙亚宾, 李小进, 石艳玲等；一种源漏抬升 FDS0I 器件的栅围寄生互连电容提取方法，20190425，申请号: 201910675037.7 6.孙亚宾, 李小进, 石艳玲等；一种非对称沟道介质环场效应晶体管，20190715，申请号: 201910634807.3 7.孙亚宾, 李小进, 石艳玲等；一种非对称边墙、垂直堆叠沟道结构的可重构场效应晶体管，20190726，申请号: 201910683374.0 8.孙亚宾, 李小进, 石艳玲等；超大规模集成电路工艺的后道互连寄生电容电阻的建模方法，20191031，申请号: 201910911923.5 9.孙亚宾, 李小进, 石艳玲等；一种铁电材料可重构场效应晶体管，20191015，申请号: 201910978165.9 10.孙亚宾, 李小进, 石艳玲等；一种自实现反相器功能的互补式垂直环栅场效应晶体管，20191018，申请号: 201910993319.1 11.孙亚宾, 李小进, 石艳玲等；一种非对称侧墙结构的纳米片环栅场效应晶体管，申请号: 201911034668.7 12.孙亚宾, 李小进, 石艳玲等；一种非对称栅氧结构的纳米片环栅场效应晶体管，申请号: 201910880148.1 13.孙亚宾, 李小进, 石艳玲等；一种静态随机存取存储器；2019.11.26，申请号: 201911170922.6 14.孙亚宾, 李小进, 石艳玲等；一种源漏外延场效应晶体管栅围电容的建模方法，已经上报， 15.孙亚宾, 李小进, 石艳玲等；一种双金属功函数栅的可重构场效应晶体管，已经上报 荣誉及奖励 2017年入选上海市扬帆人才计划;