个人简述:

黄火林，现任大连理工大学物理与光电工程学院副教授，硕士生导师。2016年入选大连市青年科技之星。2006年本科和2011年博士毕业于厦门大学物理系，师从半导体探测器领域专家吴正云教授，从事二氧化钛和碳化硅等宽禁带半导体材料生长和紫外光电探测器的研制工作。2011年8月至2014年10月在新加坡国立大学（NUS）电机工程系（ECE）从事博后研究工作，合作导师为Y.C.Liang教授，博后期间负责带领多名博士生开展《高压高功率硅衬底氮化镓材料功率电子器件技术研发》项目（750W人民币）。该项目典型成果是获得+5V阈值电压和超过1200V击穿电压性能的常关型功率器件，以及基于无金（Au-free）工艺技术的+2V阈值电压和600V击穿电压的常关型功率器件，项目指标达到同期国际先进水平。目前主要从事氮化镓基材料外延生长和电子器件的研制工作，至今已在IEEEElectronDeviceLetters、IEEETransactionsonPowerElectronics等重要学术期刊和国际会议上发表学术论文数十篇。

主持课题：
1、基于纵向短栅极沟道结构的低导通电阻常关型GaN基HEMT器件制备研究（国家自然科学基金项目）
2、多重2DEG沟道和凹槽栅组合GaNMOS-HEMT器件的研制（安徽省自然科学研究重大项目）
3、低导通电阻大阈值电压常关型AlGaN/GaN基HEMT器件制备研究（辽宁省教育厅项目）
4、常关型GaN基功率器件的仿真与制作（中央高校基本科研业务经费--引进人才专项）

代表性论文：
[1]HuolinHuangandY.C.Liang,"Formationofcombinedpartiallyrecessedandmultiplefluorinated-dielectriclayersgatestructuresforhighthresholdvoltageGaN-basedHEMTpowerdevices",Solid-StateElectronics114,148-154(2015).
[2]HuolinHuang,YungC.Liang,GaneshS.Samudra,Ting-FuChang,andChih-FangHuang,“EffectsofGateFieldPlatesontheSurfaceStateRelatedCurrentCollapseinAlGaN/GaNHEMTs”,IEEETrans.PowerElectron.29,2164-2173(2014).
[3]HuolinHuang,YungC.Liang,GaneshS.Samudra,andCassandraLowLeeNgo,“Au-FreeNormally-offAlGaN/GaN-on-SiMIS-HEMTsusingCombinedPartiallyRecessedandFluorinatedTrap-ChargeGateStructures”,IEEEElectronDeviceLett.35,569(2014).
[4]HuolinHuang,YannanXie,ZhifengZhang,FengZhang,QiangXu,ZhengyunWu,“GrowthandfabricationofsputteredTiO2basedultravioletdetectors”,Appl.Surf.Sci.293,248-254(2014).
[5]HuolinHuang,YannanXie,WeifengYang,FengZhang,JiafaCai,andZhengyunWu,“Low-Dark-CurrentTiO2MSMUVPhotodetectorswithPtSchottkyContacts”,IEEEElectronDeviceLett.32,530(2011).
[6]HuolinHuang,WeifengYang,YannanXie,XiapingChen,andZhengyunWu,“Metal-semiconductor-metalultravioletphotodetectorsbasedonTiO2filmsdepositedbyradiofrequencymagnetronsputtering”,IEEEElectronDeviceLett.31,588(2010).
[7]HuolinHuang,ZhonghaoSun,etal.,"Performance-ImprovedNormally-offAlGaN/GaNHigh-ElectronMobilityTransistorswithaDesignedp-GaNAreaundertheRecessedGate",13thIEEEInternationalConferenceonSolid-StateandIntegratedCircuitTechnology,2016,October25-28,Hangzhou,China.
[8]HuolinHuang,Yun-HsiangWang,YungC.Liang,GaneshS.Samudra,HongweiLiang,XiaochuanXia,andGuotongDu,"FormationofGateStructurebyMultipleFluorinatedDielectricLayersonPartiallyRecessedBarrierforHighThresholdVoltageAlGaN/GaNPowerHEMTs",11thInternationalConferenceonNitrideSemiconductors(ICNS-11),2015,August30-September4,Beijing,China.
[9]HuolinHuang,Yun-HsiangWang,YungC.Liang,GaneshS.Samudra,Chih-FangHuang,andWei-HungKuo,“5VHighThresholdVoltageNormally-offMIS-HEMTswithCombinedPartiallyRecessedandMultipleFluorinated-DielectricLayersGateStructures”,46thSSDM2014,September8-11,2014,Ibaraki,Japan.
[10]HuolinHuang,YungC.Liang,GaneshS.Samudra,andChih-FangHuang,“DesignofNovelNormally-offAlGaN/GaNHEMTswithCombinedGateRecessandFloatingChargeStructures”,IEEEPEDS2013,April22-25,2013,Kitakyushu,Japan.
[11]HuolinHuang,YungC.Liang,andGaneshS.Samudra,“TheoreticalCalculationandEfficientSimulationsofPowerSemiconductorAlGaN/GaNHEMTs”,IEEEEDSSC2012,December3-5,2012,ChulalongkornUniversity,Bangkok,Thailand.
[12]HuolinHuang,YungC.Liang,GaneshS.Samudra,YulingLi,andYee-ChiaYeo,“ModellingandSimulationsonCurrentCollapseinAlGaN/GaNPowerHEMTs”,SISPAD2012,September5-7,2012,Denver,CO,USA.

申请和授权发明专利：
[1]具有纵向栅极结构的常关型HEMT器件及其制备方法
[2]具有三明治栅极介质结构的HEMT器件及其制备方法
[3]一种纵向短开启栅极沟道型HEMT器件及其制备方法
[4]高电子迁移率晶体管制作方法
[5]一种二氧化钛紫外光电探测器的制备方法

科研工作:

黄火林，现任大连理工大学物理与光电工程学院副教授，硕士生导师。2016年入选大连市青年科技之星。2006年本科和2011年博士毕业于厦门大学物理系，师从半导体探测器领域专家吴正云教授，从事二氧化钛和碳化硅等宽禁带半导体材料生长和紫外光电探测器的研制工作。2011年8月至2014年10月在新加坡国立大学（NUS）电机工程系（ECE）从事博后研究工作，合作导师为Y.C.Liang教授，博后期间负责带领多名博士生开展《高压高功率硅衬底氮化镓材料功率电子器件技术研发》项目（750W人民币）。该项目典型成果是获得+5V阈值电压和超过1200V击穿电压性能的常关型功率器件，以及基于无金（Au-free）工艺技术的+2V阈值电压和600V击穿电压的常关型功率器件，项目指标达到同期国际先进水平。目前主要从事氮化镓基材料外延生长和电子器件的研制工作，至今已在IEEEElectronDeviceLetters、IEEETransactionsonPowerElectronics等重要学术期刊和国际会议上发表学术论文数十篇。

主持课题：
1、基于纵向短栅极沟道结构的低导通电阻常关型GaN基HEMT器件制备研究（国家自然科学基金项目）
2、多重2DEG沟道和凹槽栅组合GaNMOS-HEMT器件的研制（安徽省自然科学研究重大项目）
3、低导通电阻大阈值电压常关型AlGaN/GaN基HEMT器件制备研究（辽宁省教育厅项目）
4、常关型GaN基功率器件的仿真与制作（中央高校基本科研业务经费--引进人才专项）

代表性论文：
[1]HuolinHuangandY.C.Liang,"Formationofcombinedpartiallyrecessedandmultiplefluorinated-dielectriclayersgatestructuresforhighthresholdvoltageGaN-basedHEMTpowerdevices",Solid-StateElectronics114,148-154(2015).
[2]HuolinHuang,YungC.Liang,GaneshS.Samudra,Ting-FuChang,andChih-FangHuang,“EffectsofGateFieldPlatesontheSurfaceStateRelatedCurrentCollapseinAlGaN/GaNHEMTs”,IEEETrans.PowerElectron.29,2164-2173(2014).
[3]HuolinHuang,YungC.Liang,GaneshS.Samudra,andCassandraLowLeeNgo,“Au-FreeNormally-offAlGaN/GaN-on-SiMIS-HEMTsusingCombinedPartiallyRecessedandFluorinatedTrap-ChargeGateStructures”,IEEEElectronDeviceLett.35,569(2014).
[4]HuolinHuang,YannanXie,ZhifengZhang,FengZhang,QiangXu,ZhengyunWu,“GrowthandfabricationofsputteredTiO2basedultravioletdetectors”,Appl.Surf.Sci.293,248-254(2014).
[5]HuolinHuang,YannanXie,WeifengYang,FengZhang,JiafaCai,andZhengyunWu,“Low-Dark-CurrentTiO2MSMUVPhotodetectorswithPtSchottkyContacts”,IEEEElectronDeviceLett.32,530(2011).
[6]HuolinHuang,WeifengYang,YannanXie,XiapingChen,andZhengyunWu,“Metal-semiconductor-metalultravioletphotodetectorsbasedonTiO2filmsdepositedbyradiofrequencymagnetronsputtering”,IEEEElectronDeviceLett.31,588(2010).
[7]HuolinHuang,ZhonghaoSun,etal.,"Performance-ImprovedNormally-offAlGaN/GaNHigh-ElectronMobilityTransistorswithaDesignedp-GaNAreaundertheRecessedGate",13thIEEEInternationalConferenceonSolid-StateandIntegratedCircuitTechnology,2016,October25-28,Hangzhou,China.
[8]HuolinHuang,Yun-HsiangWang,YungC.Liang,GaneshS.Samudra,HongweiLiang,XiaochuanXia,andGuotongDu,"FormationofGateStructurebyMultipleFluorinatedDielectricLayersonPartiallyRecessedBarrierforHighThresholdVoltageAlGaN/GaNPowerHEMTs",11thInternationalConferenceonNitrideSemiconductors(ICNS-11),2015,August30-September4,Beijing,China.
[9]HuolinHuang,Yun-HsiangWang,YungC.Liang,GaneshS.Samudra,Chih-FangHuang,andWei-HungKuo,“5VHighThresholdVoltageNormally-offMIS-HEMTswithCombinedPartiallyRecessedandMultipleFluorinated-DielectricLayersGateStructures”,46thSSDM2014,September8-11,2014,Ibaraki,Japan.
[10]HuolinHuang,YungC.Liang,GaneshS.Samudra,andChih-FangHuang,“DesignofNovelNormally-offAlGaN/GaNHEMTswithCombinedGateRecessandFloatingChargeStructures”,IEEEPEDS2013,April22-25,2013,Kitakyushu,Japan.
[11]HuolinHuang,YungC.Liang,andGaneshS.Samudra,“TheoreticalCalculationandEfficientSimulationsofPowerSemiconductorAlGaN/GaNHEMTs”,IEEEEDSSC2012,December3-5,2012,ChulalongkornUniversity,Bangkok,Thailand.
[12]HuolinHuang,YungC.Liang,GaneshS.Samudra,YulingLi,andYee-ChiaYeo,“ModellingandSimulationsonCurrentCollapseinAlGaN/GaNPowerHEMTs”,SISPAD2012,September5-7,2012,Denver,CO,USA.

申请和授权发明专利：
[1]具有纵向栅极结构的常关型HEMT器件及其制备方法
[2]具有三明治栅极介质结构的HEMT器件及其制备方法
[3]一种纵向短开启栅极沟道型HEMT器件及其制备方法
[4]高电子迁移率晶体管制作方法
[5]一种二氧化钛紫外光电探测器的制备方法

教育背景:

1993.9--1998.3
日本东京工业大学 微分几何 博士