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孙文红,学习经历 1984.9-1988.7,兰州大学物理系学士 1988.9-1991.7,兰州大学物理系硕士 1991.8-1996.7,兰州大学物理系博士 工作经历: 2017.4-现在广西大学物理技术与工程学院,教授(八桂学者) 2006.5-2017.3SensorElectronicTechnology,Inc.,研发部主任 2002.3-2006.5UniversityofSouthCarolina,副教授,ResearchFellow 2000.8-2002.3IMRE(Singapore),ResearchFellow 1991.9-1996.8电子工业部第十三研究所,高级工程师,工程师主持(或参与)的主要科研项目光电信息研究中心建设(T312009721-杰出人才,八桂学者配套专项) 八桂学者人才项目(T3120099202,自制区人才项目)授权专利: 1.US9722139B2:“Non-UniformMultipleQuantumWellStructure”,2017. 2.USpatent2013/0193480:“EpitaxyTechniqueforReducingThreadingDislocationsinStressedSemiconductorCompounds”,2017. 3.USpatent9105792:“PatternedLayerDesignforGroupIIINitrideLayerGrowth”,2015. 4.USpatent9831382B2:“EpitaxyTechniqueforGrowingSemiconductorCompounds”,2017. 5.USpatent9330906,“STRESSRELIEVINGSEMICONDUCTORLAYER”,2016. 6.USpatent9537054B2“SEMICONDUCTORSTRUCTUREWITHREDUCEDBOWINGANDINCREASEDRELIABILITY”,2017.
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