个人简介

闫建昌，男，博士，研究员，硕士生导师。 中国科学院青年创新促进会会员，北京市科技新星计划入选者。 清华大学电子工程系学士学位，中科院半导体所博士，2015-2016年度法国巴黎第十一大学访问学者。2009年加入中国科学院半导体照明研发中心，长期从事氮化物半导体材料和器件研究，尤其专注于氮化镓半导体紫外发光二极管（UVLED）领域十余年，负责国家863计划、自然科学基金、重点研发计划等多项国家级科研项目，取得了具有国际影响力的研究成果。与美国、日本、欧洲等多国的领域著名研究机构开展了学术交流合作，并与产业界建立了良好的互动合作关系。 主持承担国家863课题“深紫外LED外延生长及应用技术研究”，国际上首次在纳米图形蓝宝石衬底(NPSS)上MOCVD外延出高质量AlN材料，材料质量为国际最好水平之一，研制出首支基NPSS的深紫外LED。相关研究获得SemiconductorToday、CompoundSemiconductors等半导体界知名网站报导。主持自然科学基金项目“AlGaN基紫外激光二极管研究”，成功实现了国内首个UV-B和UV-C深紫外波段氮化物半导体量子结构的室温受激发射。发表学术论文五十余篇，申请国家发明专利三十多项。获中科院成果鉴定两项，2012年度北京市科学技术奖一等奖、2015年度国家科学技术进步奖二等奖，2018年度北京市科技新星计划入选者。 在研/完成项目： 1、国家重点研发计划课题“固态紫外光源高Al组分结构材料的外延及产业化技术研究”（2016.07-2021.06） 2、国家自然科学基金项目“AlGaN基紫外激光二极管研究”（2014.01-2017.12）； 3、国家863课题“深紫外LED外延生长及应用技术研究”（2011.01-2013.12）； 4、国家自然科学基金项目“垂直结构紫外LED的研究”（2011.01-2013.12）；