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  • 杨跃德
  • 所属院校: 中国科学院半导体研究所
  • 所属院系:
  • 职称: 副研究员
  • 导师类型:
  • 招生专业:
  • 研究领域: 半导体激光器、微腔物理特性、半导体光电子集成
个人简介

个人简介

杨跃德,男,博士,副研究员,硕士生导师。 2004年毕业于北京大学物理学院物理学专业获学士学位,同年进入中国科学院半导体所攻读博士,2009年获物理电子学博士学位。2011-2013年在香港科技大学电子及计算机工程学系从事博士后研究工作。 长期致力于光学微腔模式特性及半导体微腔激光器的研究。多年来,在973、863及国家自然基金等课题的支持下,在回音壁型光学微腔模式耦合、辐射损耗机理与控制方法、高速半导体微腔激光器、InP/Si键合激光器、Si基模分复用器件等研究方面取得了一系列创新性的重要成果。在OpticalExpress,PhysicalReviewA,J.LightwaveTechnology等国内外刊物发表文章80余篇,授权专利多项。 在研/完成项目: 面向高数据通量低能耗片上光互连的模分复用基础研究,,61377105,国家自然基金面上项目,课题负责人 基于金属限制和表面等离子激元的半导体微腔激光器的研究,61106048,国家自然基金青年项目,课题负责人

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