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于丽娟,女,博士,副研究员,硕士生导师。 1986年和1989年在吉林大学物理系获学士和硕士学位,2000年在西安交通大学电子工程系获博士学位。 2000年至今在中科院半导体所从事半导体光电材料及相关器件的研究,曾参加高性能半导体光放大器规模化生产技术项目,研制出纤-纤增益大于15dB的半导体光放大器。在对半导体材料的直接键合的研究过程中,已获得了III-V半导体材料与硅键合的窗口温度,并利用键合的方法在硅基上实现了1.55μmInGaAsP/InP激光器的室温连续激射。2006年在英国帝国理工大学做访问学者,主要从事Ge/SiDBR材料特性及Ge/Si量子阱调制器的研究。 已在国内外学术刊物及国际学术会议上发表30多篇学术论文和两个专利。
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