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  • 李正
  • 所属院校: 湘潭大学
  • 所属院系: 材料科学与工程学院
  • 职称: 教授
  • 导师类型: 博导
  • 招生专业:
  • 研究领域: 1.大面积、低漏电流硅探测器。开发了制作大面积、低漏电流硅探测器的先进工艺技术;2.成功地研制了硅-Pad、DriftPixel、Stripixel和3D-Trench-Electrode等不同结构的探测器与位敏传感器;3.杂质工程对硅探测器的辐射加固;4.TSC和DLTS测量深能级的统一理论。
个人简介

个人简述:

李正:男,1958年11月出生于湖南省湘潭市。1977年以湖南省湘潭市全市第一名的成绩考入北京大学,1981年毕业于北京大学物理系,并以当年CUSPEA (China-U.S. Physics Examination and Application,李政道教授倡办的中美联合培养物理类研究生计划)到美国宾州大学(Penn. State Univ.)攻读博士学位,于1986年10月获得博士学位。1986年11月到美国Brookhaven国家实验室工作,任Physicist(相当于教授),领导世界上水平最高的硅高能粒子探测器模拟、设计、开发及制作和检测中心,主要从事于硅高能粒子探测器的研制和辐照缺陷的材料与器件物理的工作。在高级别学术刊物发表SCI收录论文300余篇,论文被引用6787次,其中他人正面引用5867次(截止日期2015年12月)。2005年获BNL Science and Technology奖,是CERN RD39 Collaboration发言人,2012年获美国电气与电子工程师协会(IEEE)颁发的2012年技术创新奖。分别被中国科学院半导体研究所材料科学开放实验室和湘潭大学聘请为客座教授和兼职教授。2014年2月12日正式受聘为湘潭大学特聘教授在湘潭大学材料科学与工程学院全职工作。


科研工作:

获奖情况
李正,美国布洛克海文国家实验室科学和技术奖,2005年;李正,美国电气与电子工程师协会2012年技术创新奖,2012年
科研项目
1、973计划前期研究专项, 2012CB326404、 FeCMOS基本门电路的辐照效应及机理研究, 2012.08-2014.08,60万元、已结题、主持。2、湖南省重点研发计划(2015GK2003),高性能压力传感器的研制及产业化,2015.01-2017.12,200万元,主持,在研。
主要代表性论文
[1]3D design and electric simulation of a silicon drift detector using a spiral biasing adapter, Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment, 2016, In Press[2]3D simulations and modeling of new low capacitance silicon pixel detectors,Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment, 2016, In Press[3]Processing of n+/p- /p+ strip detectors with atomic layer deposition(ALD) grown Al2O3 field insulator on magnetic Czochralski silicon(MCz-si) substrates,Nuclear Instruments and Methods in Physics Research A 828 (2016) 46–51

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