个人简介

黄风义 职称：教授 办公室：四牌楼李文正楼北407室 学习经历： 1982年-1986年北京大学物理系，学士学位 1986年-1988年复旦大学物理系，半导体物理专业，硕士学位 1991年-1994年美国依利诺斯大学香槟分校（简称UIUC），获工程博士学位 工作经历: 1994年-1997年加州大学洛杉矶分校（UCLA），电子工程系，博士后 1997年-2001年任IBM 公司的高级工程师，在IBM 高等半导体工艺中心（纽约）的硅生产线上负责锗硅BiCMOS技术的工艺集成。作为SiGe项目组主要高级工程师之一，为IBM公司在锗硅技术开发方面做了重大贡献,获“IBM 微电子部总经理的杰出贡献奖”。拥有锗硅BiCMOS及SOI BiCMOS领域9项美国专利 2001.11-2002.10中国科学院半导体研究所，中国科学院“百人计划”特聘研究员，半导体研究所微电子中心兼职副主任 2003年–今教育部“**学者”特聘教授，博导，东南大学，信息科学与工程学院，移动通信国家重点实验室，射频和光电集成电路研究所，副所长 教授课程： 集成电路技术与发展综述-本科 集成电路的器件工艺和模型-博士 获奖情况： 2009年江苏省“科技进步三等奖”； 2007年江苏省“333高层次人才培养工程”中青年科学技术带头人； 2006年江苏省六大人才高峰行动计划资助人选 2005年教育部“**学者和创新团队发展计划”创新团队研究骨干 2003年教育部“**学者奖励计划”特聘教授 1999年IBM微电子部总经理杰出贡献奖 1989年英国“海外留学生研究奖” 1988年“李政道物理学奖” 科研项目： 项目名称 项目类别 项目时间 工作类别 项目金额 面向IMT-A等宽带无线通信系统的射频芯片、器件与模块研发 国家科技重大专项 2009-2012 工程应用 852万元 TD-LTE-Advanced终端射频芯片工程样片研发 国家科技重大专项 2012-2016 工程应用 249万元 基于固态电子的太赫兹（THz）电脉冲辐射的研究与实现 国家自然基金 2015-2018 应用基础研究 80万元 基于特征函数法的纳米超高速晶体管毫米波建模研究 国家自然基金 2018-2020 应用基础研究 63万元 纳米CMOS工艺高速数模混合锁相环频率合成器非理想特性模型研究 国家自然基金 2008-2010 应用基础研究 32万元 宽带无线通信射频前端SOC芯片设计与实现 科技部863计划 2009-2012 工程应用 417万元 专利： 专利号 专利名称 专利类型 201010022764.2 一种太赫兹成像系统的探测装置 发明专利授权 201010022736.0 低电压静态分频器集成电路芯片 发明专利授权 201010022735.6 新型全集成双频段低噪声放大器集成电路结构 发明专利授权 201110000291.0 利用共面波导馈电的太赫兹螺旋天线 发明专利授权 201410637767.5 器件等效电路模型参数提取方法及焊盘寄生参数提取方法 发明专利授权 201410682700.3 一种TDD/FDD双模可重构的无线通信系统及通信方法 发明专利授权 201410717802.4 一种基于固态电子的太赫兹电脉冲产生装置 发明专利授权 201410768201.6 直流失调消除电路 发明专利授权