芯片制程填平材料

1.逻辑芯片制造:用于FinFET、GAA晶体管的多层金属互联平坦化，适配台积电N3、三星3GAE等先进制程。

2.存储芯片封装:在3D NAND堆看结构中实现层间介质(ILD)的高精度填平，降低串扰噪声，提升存储密度。

3.化合物半导体加工:针对GaN/SiC功率器件的异质集成，优化材料选择比，减少衬底损伤，提高器件可靠性。