需求类型：新技术开发  
高端芯片制造前道工序的晶圆，市面上主流为 12 英寸，处理工序过程中用到的晶舟、炉管等碳化硅陶瓷结构件直径超过 350mm，长度超过 1000mm，规格尺寸极大， 其表面的 CVD 碳化硅涂层不仅要求有极高的纯度＜ 10ppm，而且厚度要均匀一致。目前，国内主要存在🕔设备 小；②均匀性、热稳定性控制难度大；③结构件经过升温降 温的循环后，与基体的热膨胀系数一致性差等关键技术难 题。通过本项目的实施，攻克直径超过 350mm，长度超过1000mm 大规格碳化硅陶瓷结构件的 CVD 碳化硅涂层制备“卡脖子”技术难题，使其纯度达到＜10ppm 技术指标，性能大幅提升，以确保满足高端芯片制造应用需求。

具体指标要求：

CVD 碳化硅涂层后纯度＜10ppm。