基于AI算力的超低功率损耗的软磁铁氧体材料研发及应用

需求背景

随着新能源汽车、电力电子仪器设备、计算机、网络通讯、5G基站、光伏逆变器、无人机、智能家电等领域的快速发展，对高性能软磁铁氧体材料的需求日益增长。当前，市场对材料的超低功率损耗、高饱和磁通密度、宽温度稳定性等性能提出了更高要求。湖北微硕新材料有限公司作为电子元器件制造领域的领先企业，亟需通过技术创新提升软磁铁氧体材料的性能，以满足高端应用场景的需求，增强市场竞争力。

需解决的主要技术难题

动态可调的单位体积损耗（PcV）：在100kHz、200mT、200kHz、125mT和300kHz、100mT条件下，以及25℃～160℃温度范围内，实现200～330  Kw/m³的动态可调性能。技术难点：如何在宽频带和宽温度范围内实现损耗的精确控制和稳定性。

高初始磁导率（μi）与高饱和磁通密度（Bs）的平衡：初始磁导率需达到3300±25%，同时饱和磁通密度在1kHz、1194A/m条件下，25℃≥540mT，100℃≥430mT。技术难点：在提升磁导率的同时，确保材料在高低温环境下的磁通密度稳定性。

居里温度（Tc）的提升：在10kHz、B<0.25mT条件下，居里温度需≥230℃。技术难点：如何在材料设计中兼顾高频性能和高温稳定性。

AI算力在材料研发中的应用：利用AI技术优化材料配方和工艺参数，缩短研发周期并提升性能。技术难点：如何构建高效的数据模型，实现材料性能的精准预测和优化。

期望实现的主要技术目标

项目产品主要应用于新能源汽车、电力电子仪器设备、计算机、网络通讯、5G 基站、光伏逆变器、无人机、智能家电等领域。

考核指标:

(1)初始磁导率ui:3300士25%

(2)饱和磁通密度(Bs):1kHz、1194A/m、25℃>540mT;100℃>430mT

(3)单位体积损耗(Pcv):分别在100kHz、200mT，200KHz125mT和300KHz100mT条件和25℃~160℃温度内，实现200~330Kw/m’动态可调(4)居里温度Tc:10kHz，B<0.25mT≧230℃